레이저 구동 스핀트로닉 메모리 장치, DRAM보다 1,000배 더 빠르게 전환 — 비휘발성 장치는 거의 열을 내지 않으며 40피코초 만에 전환
Laser-driven spintronic memory device switches 1,000 times faster than DRAM — non-volatile device switches in 40 picoseconds while generating almost no heat
TL;DR AI
1분핵심 요약
도쿄대 연구진은 Mn3Sn 기반 스핀트로닉 메모리 소자를 40피코초 만에 상태 전환하는 데 성공했다.
이 소자는 전원이 없어도 데이터를 유지하는 비휘발성 구조이며, 전기 펄스와 레이저로 만든 광전류 펄스 모두로 구동할 수 있다.
텔레콤 대역 레이저와 포토다이오드를 활용한 실험은 초고속·저발열 메모리로 이어질 가능성을 보여줬다.
이번 성과는 속도와 데이터 보존을 함께 갖춘 메모리로 AI와 고성능 컴퓨팅의 전력·냉각 병목을 줄일 수 있음을 시사한다.
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