3D X-DRAM, 개념 증명 단계 도달… 기존 DRAM 대비 10배 밀도와 높은 수율의 메모리 설계로 HBM 대체 노려
3D X-DRAM Hits Proof-of-Concept, HBM-Replacement with 10x Density vs Traditional DRAM & High-Yield Memory Design
TL;DR AI
1분핵심 요약
NEO Semiconductor가 3D NAND와 유사한 공정을 적용한 3D X-DRAM의 개념 검증용 테스트 칩을 공개했다.
이 회사는 이 설계가 기존 DRAM보다 최대 10배 높은 밀도를 제공하면서도 빠른 읽기·쓰기 속도와 긴 데이터 보존을 유지할 수 있다고 밝혔다.
기존 제조 인프라에 맞춰 설계돼 있어, AI·서버 시스템의 메모리 대역폭을 더 저렴하게 늘릴 수 있는 경로가 될 수 있다.
양산 검증에 성공하면 HBM 등 고대역폭 메모리의 대안으로 자리잡을 가능성이 있다.
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